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L'application est conçue pour un apprentissage rapide, des révisions, des références au moment des examens et des entretiens.
Cette application couvre la plupart des sujets connexes et des explications détaillées avec tous les sujets de base.
Certains des sujets abordés dans cet eBook d'ingénierie sont :
1. Mémoires semi-conductrices :Introduction et types
2. Mémoire morte (ROM)
3. Cellule DRAM à trois transistors
4. Une cellule DRAM à transistor
5. Mémoire flash
6. Circuits logiques CMOS basse consommation : introduction
7. Conception des onduleurs CMOS
8. Onduleurs MOS : introduction aux caractéristiques de commutation
9. Techniques basées sur la numérisation
10. Techniques d'autotest intégré (BIST)
11. Prospective historique du VLSI Design : Loi de Moore
12. Classification des types de circuits numériques CMOS
13. Un exemple de conception de circuit
14. Méthodologies de conception VLSI
15. Flux de conception VLSI
16. Hiérarchie de conception
17. Notion de régularité, de modularité et de localité
18. Fabrication CMOS
19. Flux du processus de fabrication : étapes de base
20. Fabrication du transistor nMOS
21. Fabrication CMOS : procédé p-well
22. Fabrication CMOS : procédé n-puits
23. Fabrication CMOS : procédé twin tub
24. Schémas de bâton et conception de la disposition des masques
25. Transistor MOS : structure physique
26. Le système MOS sous polarisation externe
27. Structure et fonctionnement du MOSFET
28. La tension de seuil
29. Caractéristiques de tension actuelle du MOSFET
30. Mise à l'échelle Mosfet
31. Effets de mise à l'échelle
32. Petits effets de géométrie
33. Capacités MOS
34. Inverseur MOS
35. Caractéristiques de transfert de tension (VTC) de l'onduleur MOS
36. Onduleurs avec charge MOSFET de type n
37. Inverseur de charge résistive
38. Conception des onduleurs à charge d'épuisement
39. Inverseur CMOS
40. Définitions des temps de retard
41. Calcul des temps de retard
42. Conception d'onduleur avec contraintes de retard : exemple
43. Circuits logiques combinatoires MOS : introduction
44. Circuits logiques MOS avec charges nMOS à appauvrissement : porte NOR à deux entrées
45. Circuits logiques MOS avec appauvrissement des charges nMOS : structure NOR généralisée à entrées multiples
46. Circuits logiques MOS avec appauvrissement des charges nMOS : Analyse transitoire de la porte NOR
47. Circuits logiques MOS avec charges nMOS à appauvrissement : porte NAND à deux entrées
48. Circuits logiques MOS avec appauvrissement des charges nMOS : Structure NAND généralisée à entrées multiples
49. Circuits logiques MOS avec appauvrissement des charges nMOS : Analyse transitoire de la porte NAND
50. Circuits logiques CMOS : porte NOR2 (deux entrées NOR)
51. Porte CMOS NAND2 (deux entrées NAND)
52. Disposition des portes logiques CMOS simples
53. Circuits logiques complexes
54. Portes logiques CMOS complexes
55. Disposition des portes logiques CMOS complexes
56. Portes AOI et OAI
57. Portes pseudo-nMOS
58. Circuit d'additionneur complet CMOS et additionneur d'ondulation de transport
59. Portes de transmission CMOS (portes de passage)
60. Logique de transistor de passage complémentaire (CPL)
61. Circuits logiques MOS séquentiels : Introduction
62. Comportement des éléments bistables
63. Le circuit de verrouillage SR
64. Verrou SR cadencé
65. Verrou JK cadencé
66. Bascule maître-esclave
67. CMOS D-Latch et bascule déclenchée par le bord
68. Circuits logiques dynamiques : Introduction
69. Principes de base des circuits de transistor de passage
Tous les sujets ne sont pas répertoriés en raison des limitations de caractères.
Chaque sujet est complet avec des diagrammes, des équations et d'autres formes de représentations graphiques pour un meilleur apprentissage et une compréhension rapide.
Cette application sera utile pour une référence rapide. La révision de tous les concepts peut être terminée en quelques heures à l'aide de cette application.
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